图片仅供参考,产品以实物为准
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (绝缘的) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 125 mOhm @ 3.3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 10nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 125@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 3.3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 125 mOhm @ 3.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 270pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDFS2P102DKR |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 3.3 A |
| 正向跨导 - 闵 | 5 S |
| 单位重量 | 0.002998 oz |
| RDS（ON） | 125 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 上升时间 | 7 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 7 ns |
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